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英飛凌混合單管CoolSiC

經(jīng)濟(jì)高效且開關(guān)損耗超低的功率開關(guān)

以碳化硅肖特基勢壘二極管作為反并聯(lián)二極管，與IGBT相組合，可拓展 IGBT 的能力，同時大幅降低導(dǎo)通損耗（Eon）和總開關(guān)損耗。續(xù)流的 SiC 肖特基勢壘二極管可大幅降低開關(guān)損耗，同時dv/dt和di/dt值幾乎不變。

快速、輕松、即插即用地替換650 V TRENCHSTOP?5 IGBT設(shè)計，使得可將每10 kHz 開關(guān)頻率的效率提高0.1%，這意味著如果某個應(yīng)用的開關(guān)速度是 23 kHz，其效率即可提高大約 0.23%。使用4引開爾文-發(fā)射極封裝的CoolSiC?混合單管，還可進(jìn)一步降低開關(guān)損耗，從而實現(xiàn)更大幅度的效率提升。